功率半导体概念股龙头股&功率半导体板块成分股

公司拥有MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）和IGBT（绝缘栅双极型晶体管）工艺技术平台。在MOSFET工艺技术平台方面，公司基于12英寸晶圆平台的精密工艺控制自主开发了沟槽型MOSFET（TMOS）和屏蔽栅型MOSFET（SGT）工艺，凭借其优异的导通电阻和功率密度表现，已获得客户的广泛认可。MOSFET产品覆盖12V-200V的电压范围，可充分满足电机驱动、LED智能照明驱动、数据中心服务器电源、新能源充电桩及车载充电机等高端应用场景的严苛需求。在IGBT工艺技术平台方面，公司具备大电流、高可靠性产品的代工能力，产品已成功应用于工业变频器、工业大功率电源逆变器，新能源主驱逆变器、充电桩，光伏逆变器以及消费电子等领域。同时，公司还提供与IGBT模块配套的FRD（快恢复二极管）产品，形成完整的一站式解决方案。

2026年7月2日公司在互动平台表示，控股公司普瑞光电业务包括LED氮化镓外延、LED芯片及功率半导体产品。

在功率器件领域，公司面向车规级应用场景下功率器件日益严苛的可靠性要求，依托在光电子器件测试设备领域底层核心技术的深度积累和延伸应用，进一步拓展了主要面向车规级应用场景的功率器件测试设备产品线，两款核心产品晶圆级老化系统、功率芯片KGD分选测试系统均已实现产业化应用。根据Frost&Sullivan数据，2024年中国碳化硅功率器件晶圆级老化系统市场中，公司市场份额排名第一；2023-2024年中国功率芯片KGD分选测试系统市场中，公司市场份额排名第三、本土企业第一。公司在功率器件领域已覆盖比亚迪半导体、芯联集成、士兰微、三安光电、芯聚能、长飞先进、株洲中车、瞻芯电子、ONSEMI、Power Master等国内外主流功率芯片厂商。

2026年6月，公司以自有资金人民币3亿元认购龙腾半导体股份有限公司新增股本1,200万股。本次投资完成后，公司合计持有目标公司1,200万股，持股比例5.729%。目标公司主要从事功率半导体器件的研发、设计与制造，目标公司主要产品包括SGTMOSFET、SJMOSFET及VDMOS，主要应用于消费电子、LED照明、工业电源等领域。

2025年9月17日公司在互动平台表示，公司的射频芯片为模拟芯片，LED芯片属于光电器件，碳化硅MOSFET、二极管等产品属于功率半导体。

2026年5月6日公司在互动平台披露，公司半导体封装新材料聚焦高端聚酰亚胺材料，主要用于IGBT、IGCT等功率半导体封装领域。

2026年2月25日公司在互动平台披露，公司控股子公司昆山兴凯半导体材料有限公司是中高端元器件及IC封装所需的封装材料领域主要供货商之一。其针对第三代半导体开发的耐高压、耐高温、高导热EMC解决方案已实现稳定量产出货，并荣获“IGBT及第三代半导体SiC功率半导体封装材料杰出供应商”奖项。

2025年11月24日公司在互动平台披露，公司子公司华宇华源主要从事第三代半导体氮化镓（GaN）芯片封装业务，采用PLP封装工艺，主要应用于电源领域。目前华宇华源正积极与北美知名GaN功率半导体公司合作，研发电源模块GaN功率半导体芯片封装。若研发成功，有望应用于AI服务器电源。

2025年12月2日公司在互动平台披露，公司功率半导体核心产品以车用大功率二极管为主，已批量供货法雷奥、索恩格等全球头部企业，聚焦汽车整流器领域。

公司合作开发超级结MOSFET、IGBT、第三代宽禁带半导体等功率半导体器件，通过合作项目，公司在功率器件产品性能及工艺上更为成熟。华微电子试验中心的汽车电子AEC-Q101试验能力，已获得CNAS认证，目前正在进行AQG324标准的车规实验能力建设。

2025年9月29日公司在互动平台表示，公司自主研发的功率半导体测试系统批量出货并实现了进口替代，在国内功率半导体测试系统市场占据相对领先的地位。

2025年10月13日公司在互动平台表示，在功率半导体领域，公司有银烧结、多功能固晶机、真空/甲酸焊接炉、芯片封装AOI等设备，已进入部分功率半导体头部企业。

公司主营业务为功率半导体的设计、研发和销售，并提供相关技术服务。公司坚持“自主创芯，助力核心芯片国产化”的发展定位，通过自主创新和技术沉淀，已同时具备功率器件和功率IC的设计、研发能力。公司主要产品包含功率器件及功率IC两大类，同时也为部分客户提供芯片设计及工艺开发等技术服务。

IGBT效率和出流能力达到行业领先水平，第8代逆导IGBT芯片已量产，第9代IGBT芯片持续推进；SiC电性能水平达到国际主流，实现第3代平面栅芯片、第3.5代精细平面栅芯片量产，第4代沟槽栅芯片送样。功率半导体IGBT产线持续满产，8英寸SiC产线产能爬坡进展顺利，具备稳定产出能力；汽车功率模块国内市占率14%，排名第二，SIC产品定点持续突破；新型电力系统领域国内市占率过半；工业领域，双极领域新签订取得增长。传感器业务持续增长，轨交领域市场稳固，工业和汽车领域聚焦老客户的份额提升和新客户的市场开拓。

在半导体领域，公司产品目前主要应用于功率半导体和光电半导体封装。与集成电路相比，功率半导体和光电半导体属于特色工艺产品，非尺寸依赖型，在制程方面不追求极致的线宽，不遵守摩尔定律，而专注于结构和技术改进以及材料迭代，因此应用的封装技术存在一定差异。从封装技术看，功率半导体和光电半导体逐步向尺寸更小、功率密度更高的方向发展，TO、SOT、SOP等封装形式凭借技术成熟度和产品质量稳定性等特征仍占据主流，公司产品目前也主要应用于该等主流封装形式。

公司专注大功率半导体器件用陶瓷管壳研发制造二十余年，通过持续研发创新，攻克等静压陶瓷高渗透金属化扩散难、多介质焊接内应力大等行业技术难题，掌握高密度等静压陶瓷金属化扩散、超大直径陶瓷金属高强度高真空焊接等核心技术，在陶瓷管壳行业内占据领先地位。公司已形成包括1-6英寸晶闸管用陶瓷管壳、平板压接式IGBT用陶瓷管壳等多规格产品线，与中车时代、英飞凌、日立能源等功率半导体龙头企业保持长期密切的合作关系。公司作为第一起草单位、陈国贤和徐宏伟作为主要起草人起草制定的团体标准《压接式绝缘栅双极晶体管（ IGBT）平板陶瓷管壳》（T/CITIIA 203-2018）于2018年9月发布，并于2025年5月9日经工业和信息化部批准发布成为行业标准《压接式绝缘栅双极晶体管（IGBT）平板陶瓷管壳》（SJ/T 11972-2025）。该标准的发布对规范IGBT平板陶瓷管壳技术发展路径、推动技术创新与产业链协同、促进产业升级和提升国际竞争力具有重要意义，显示了公司在陶瓷管壳行业内的市场引领地位。

2025年，公司通过成功实施重大资产购买，完成对功率半导体企业吉莱微的并购，吉莱微专业从事功率半导体芯片及器件的研发、生产和销售，是一家以芯片设计、晶圆制造、封装测试的垂直一体化经营为主的功率半导体芯片及器件制造企业，致力于为客户提供安全、可靠、高效的功率半导体器件和综合性的解决方案。该公司目前拥有多条晶圆生产线，主要产品包括两大系列：功率半导体芯片和功率半导体器件。凭借具有市场竞争力的产品质量和配套销售服务体系，吉莱微生产的功率半导体芯片及器件已应用至众多国内知名终端用户，涵盖以家电为代表的消费电子领域终端用户包括美的、小米等；以低压电器为代表的工业领域终端用户包括浙江正泰电器、上海良信电器等；以手机和摄像头为代表的网络通讯和安防领域终端用户包括中兴通讯、海康威视等；以新能源汽车为代表的汽车电子领域终端客户包括比亚迪、联合汽车电子有限公司等。

公司全资子公司富乐华专注于覆铜陶瓷载板产品领域，拥有二十多年的研发、生产经验。其自主掌握多种覆铜陶瓷载板的先进制造工艺，是国内外少数实现全流程自制的覆铜陶瓷载板生产商，位于行业领先地位。其产品主要包括直接覆铜陶瓷载板产品（DCB）、活性金属钎焊覆铜陶瓷载板产品（AMB）及直接镀铜陶瓷载板产品（DPC）产品。DCB产品的主要客户包括比亚迪、英飞凌、斯达半导、士兰微、富士电机等国内外功率半导体领先企业，终端主要应用于工业控制、家用电器、光伏、风力发电等领域。AMB产品主要客户为意法半导体、博格华纳、比亚迪、中车时代、富士电机等行业知名企业，终端主要应用于新能源汽车、动力机车领域。

公司子公司意发功率主要从事功率半导体芯片的设计、制造及销售业务，拥有年产36万片6寸功率晶圆的能力。意发功率核心产品为FRD、SBD、MOSFET、IGBT等功率半导体，产品广泛应用于工控、通信、变频家电、光伏/风力发电、充电桩和电动汽车等领域。

子公司国联万众公司是较早开展GaN微波射频芯片、SiC电力电子器件的研究单位之一，现已掌握适用于高温的SiC欧姆接触制作方法、SiC器件非合金欧姆接触的制作方法、SiC肖特基接触的制备方法等多项核心技术，在生产GaN射频芯片、SiC器件产品上已拥有多项专利，其中，发明专利占比81%。碳化硅功率产品方面，公司研发生产的SiC电力电子产品已在头部车厂OBC应用实现批量供货，产品性能和可靠性得到用户认可，份额逐年增大。新能源汽车主驱应用也得到多家车企认可，通过性能和可靠性验证。同时，公司布局了风光储应用以及工业应用，产品获得用户认可，形成批量订单。预计未来在几方面应用会逐步扩大市场份额。国联万众是国内较早开展SiC功率半导体的研究生产单位之一，在生产的第三代半导体产品上已拥有多项专利，现有SiC功率模块包括650V、1200V和1700V等系列产品，主要应用于新能源汽车、工业电源、新能源逆变器等领域，未来拟攻关高压SiC功率模块领域，在智能电网、动力机车、轨道交通等高压、超高压领域抢占市场份额，实现对IGBT功率模块的部分替代。

2025年2月21日公司在互动平台披露：在功率半导体领域，公司开发了8-12英寸常压硅外延设备并批量出货。

公司成立以来即专注于中高端IGBT、MOSFET、集成功率器件及模块的研发、设计及销售。公司凭借多年技术积累及持续自主创新，在国内率先构建了IGBT、屏蔽栅MOSFET（SGTMOSFET）、超结MOSFET（SJMOSFET）、沟槽型MOSFET（TrenchMOSFET）四大产品工艺平台，并已陆续推出车规级功率器件、SiCMOSFET、GaNHEMT、功率模块、栅极驱动IC、电源管理IC、IPM智能功率模块、MCU等产品，可全面对标国际一线大厂主流产品并实现大量替代。公司产品技术先进且系列齐全，目前产品型号4000余款，电压覆盖12V~1700V全系列，重点应用领域包括新能源汽车及充电桩、光伏储能、AI服务器和数据中心、无人机、工控自动化、消费电子、5G通讯、智能机器人、智能家居、安防、医疗设备、锂电保护等十余个长期被欧美日功率半导体垄断供应的行业。

公司以特色工艺6英寸功率器件芯片为核心，形成SBD（肖特基二极管，沟槽型和平面型）芯片、FRD（快恢复二极管）芯片、MOSFET（金属氧化层半导体场效晶体管）芯片、TVS（瞬态抑制二极管）芯片等系列化产品布局。产品主要应用于新能源汽车、新能源逆变器、储能变流器、充电桩、工业电源、AI服务器电源、白色家电等场景。公司半导体功率器件芯片业务重点发展车规级功率器件芯片及高附加值产品，覆盖650V–1200V 全电压平台，在新能源与工业控制功率半导体领域形成稳定的市场竞争力。公司车规级产品出货占比稳步提升，是博世、大陆集团、法格电子、台湾半导体、安世等国际顶级汽车电子厂商的合格供应商，是比亚迪、长城、小米等国内主流车企的供应商，推动新能源相关业务订单占功率器件整体业务比重达40%。

受益于全球能源转型和智能产业升级，MOSFET产品在汽车电子、工业自动化、AI算力等领域实现市场拓展和价值提升。整体销售规模特别是SJ MOS、SGTMOS等核心品类均实现显著增长，巩固公司在国内功率半导体行业的领先地位。车规级MOSFET产品已形成全场景覆盖，并在OBC、智能座舱、域控制器等汽车关键领域规模化应用。同时，依托先进产品平台，成功拓展AI算力、机器人、低空经济等新兴领域。

公司是国家规划布局内重点集成电路设计企业和高新技术企业，是国内少有的完整具备高低压电源芯片、高低压驱动芯片、功率器件、功率模块、电源电机功率系统芯片及解决方案的公司，尤其是高压ACDC产品具备国际一流水准，根据国际知名市场研究机构Omdia于2024年发布的行业统计报告中，芯朋微位列“AC-DC integrated switching regulators”产品大类的全球第二名。公司在国内率先开发成功并量产了700V单片高低压集成开关电源芯片、1500V/1700V高低压集成开关电源芯片、数字图腾柱无桥PFC芯片、零瓦待机高低压集成开关电源芯片、1200V半桥驱动芯片、200V SOI MOS/LIGBT集成驱动芯片、100VCMOS/LDMOS集成驱动芯片等产品。

公司以信号链技术为基础，在模拟及混合信号领域开展了自主研发工作，并在传感器、信号链、电源、驱动、第三代功率半导体五大方向形成了多项核心技术。2025年，公司面向汽车激光雷达应用的GaN驱动芯片、面向AI服务器电源应用的高压GaN驱动芯片均已实现批量发货；中低压GaN合封类产品已完成AI电源领域目标客户的送样测试工作。

公司功率器件产品主要包括瞬态电压抑制二极管（TVS）、金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）、肖特基势垒二极管（SBD）、氮化镓（GaN HEMT）、碳化硅（SiC）等。其中，公司的TVS产品主要为ESD保护器件。

公司的主要产品包括GreenMOS系列超级结MOSFET、SFGMOS系列及FSMOS系列中低压屏蔽栅MOSFET、TGBT系列IGBT产品、SiC器件（含Si2C MOSFET）以及高密度功率模块。产品广泛应用于以5G基站电源及通信电源、数据中心和算力服务器电源、车载充电机、车身加热和平衡系统、UPS电源和工业照明电源、新能源汽车直流充电桩、光伏逆变及储能为代表的工业级应用领域，以及以PC电源、适配器、TV电源板、手机快速充电器为代表的消费电子应用领域。

公司是国内功率半导体领域的领军企业，自成立以来，始终专注于以IGBT、FRD为核心的功率半导体芯片、单管及模块的设计、研发、生产与销售。依托第三代半导体材料与工艺创新，公司在超微沟槽结构+场阻断技术、续流用软恢复二极管芯片技术、模块塑封技术等领域形成独特技术壁垒，自主研发的第七代功率芯片已实现关键性能指标对标国际先进水平。公司产品全面覆盖新能源汽车（电控系统、充电桩和OBC电源）、新能源发电（光伏逆变器、风能变流器和电能质量管理）、储能、工业控制（变频器、伺服电机、UPS及各种开关电源等），和家电消费等领域，产品性能与工艺技术处于行业先进水平。

公司主营业务是以IGBT、SiC为主的功率半导体芯片和模块的设计研发、生产及销售。公司总部位于浙江嘉兴，在上海、浙江、重庆和欧洲均设有子公司，并在国内和欧洲均设有研发中心。公司长期致力于为高能效、绿色化和智能化应用提供全面的半导体及系统解决方案，产品组合覆盖IGBT、SiCMOSFET、GaNHEMT、快恢复二极管等功率半导体器件以及汽车级与工业级MCU、栅极驱动IC芯片等，广泛应用于新能源、新能源汽车、工业控制与电源、白色家电、AI服务器电源、数据中心、机器人及低空/高空飞行器等领域。

公司已经建立了可持续发展的产品和技术研发体系。多品类的模拟电路、变频控制系统和芯片、MEMS传感器产品、以IGBT、超结MOSFET和高密度沟槽栅MOSFET为代表的功率半导体产品、第三代化合物功率半导体产品（SiC、GaN功率器件）、智能功率模块产品（IPM）、车规级和工业级功率模块产品（PIM）、高压集成电路、美卡乐高可靠性指标的LED彩屏像素管等新技术产品都是公司长期在这个技术研发体系中依靠自身的高强度投入和积累完成的。

公司集研发、生产、销售于一体，专业致力于功率半导体硅片、芯片及器件设计、制造、封装测试等中高端领域的产业发展。公司主营产品主要分为三大板块，具体包括材料板块（单晶硅棒、硅片、外延片）、晶圆板块（5吋、6吋、8吋硅基及6吋碳化硅等各类电力电子器件芯片）及封装器件板块（MOSFET、IGBT、SiC系列产品、整流器件、保护器件、小信号及其他产品系列）。产品广泛应用于汽车电子、人工智能、清洁能源、5G通讯、智能安防、工业、消费类电子等诸多领域，为客户提供一站式产品、技术、服务解决方案。

公司是一家专业从事功率半导体模块散热基板研发、生产和销售的国家高新技术企业、国家级专精特新“小巨人”企业，系车规级功率半导体模块散热基板行业的领先企业。公司产品主要应用于新能源汽车领域，是新能源汽车电机控制器用功率半导体模块的重要组成部件，同时，公司产品在新能源发电、储能、数据中心、低空飞行器、工业控制、轨道交通等领域亦有广泛应用前景。公司主要产品包括铜针式散热基板、铜平底散热基板、铝针式散热基板、水冷盒，产品均应用于功率半导体模块的散热系统。

公司具有自主可控的功率半导体产品设计和制造技术，建有完整的晶圆制程、芯片制程、封装测试一体化产线。公司（含子公司）拥有半导体技术专利76项（其中发明专利24项）和多项专有技术，近几年主持和参与起草40余项国际标准、国家标准和行业标准。公司被授予四个省级科研平台和一个省级专家工作站，与相关科研院所和高校深入开展产学研合作，持续跟踪碳化硅、氮化镓等第三代宽禁带半导体技术研发和应用。公司大功率半导体器件技术质量水平在国内保持领先，大功率半导体脉冲开关技术达到国际领先水平，在国内重大前沿科技项目得到应用。

2026年5月18日公司微信公众号披露，公司在10,000㎡现代化超净车间举办高端光耦合器先进生产线量产仪式，宣告高端光耦产品正式进入大规模量产阶段。此次量产落地，标志着公司在高端光耦制造领域取得实质性突破，持续夯实了公司专注功率器件发展和IDM运营模式的战略布局。目前，项目已达成月产30kk产能，多款高端光耦产品顺利通过工控、储能领域头部客户验证，进入批量交付阶段。公司光耦产品精准布局超高压储能、AI算力服务器、电力电网、动力电池BMS、半导体检测设备等高增长赛道，赋能集成电路、新型储能等新兴支柱产业发展，助力传统产业数字化、绿色化转型升级；同时前瞻布局 6G、具身智能等前沿产业配套光耦核心技术，助力行业产业链自主可控与产业高质量发展。

2026年9月，公司向特定对象发行股票申请获深圳证券交易所上市审核中心审核通过。2026年6月，修订后，公司拟向特定对象发行不超过51,337,521股，募集资金总额不超过100,000.00万元（含本数），在扣除发行费用后将用于特色高压功率半导体器件及功率集成电路晶圆代工项目、补充流动资金及偿还银行借款项目。项目总投资113,998.75万元。本项目计划使用广芯微现有厂房及附属设施并进行改造，拟通过购置生产设备、检测仪器及软件系统等，新建6英寸功率半导体晶圆代工产线以提升晶圆代工产能。项目建成达产后，预计将新增适用于高压、大功率领域的IGBT、特高压VDMOS和700V高压BCD等产品代工产能6万片/月。

2024年6月12日公司在互动平台披露，公司一直以来致力于高压大功率半导体技术的自主研制，是集功率半导体芯片设计、器件制造、封测与销售服务于一体的全产业链企业。