核心观点
2026 年上半年,公司扭亏为盈,从“规模建设”迈入“利润释放”通道,盈利改善主要得益于产品结构向高附加值方向持续优化、成熟产线产能利用率高位运行带来的规模效应显现,以及精益管理推动的成本稳步下降。行业层面,全球功率半导体供需格局趋紧,公司已于三季度对全品类启动调价,涨价弹性将于下半年逐步兑现;AI 基建领域,公司深度布局“供电+光互连”双赛道,供电侧数据中心电源管理芯片平台已获关键客户导入,光互连侧硅光芯片已规模化量产、交换芯片与VCSEL 芯片进入小批量试制阶段,有望构筑中长期增长动能。
事件
公司发布2026 中报。2026H1 公司实现营业收入45.62 亿元,同比增长30.53%;归母净利润2.78 亿元,同比增长263.40%;归母扣非净利润-6513 万元,同比增长87.84%。2026Q2 公司实现营业收入26.00 亿元,同比增长47.56%;归母净利润3.67 亿元,同比增长2968.62%。
简评
上半年扭亏为盈,规模效应与产品结构优化共振2026H1 公司实现营业收入45.62 亿元,同比增长30.53%;归母净利润2.78 亿元,同比增长263.40%,实现扭亏为盈;毛利率12.71%,同比提升9.17 个百分点。分应用领域看,AI 业务营收同比增长84.31%,车载收入同比增长3.53%,高端消费电子营收同比增长31.76%,工控营收同比增长21.29%,四大应用领域共同带动营收实现快速增长。公司盈利能力的显著改善主要得益于三个方面的协同驱动:一是产品结构持续优化,高附加值、高技术含量产品占比逐步提高;二是规模效应体现,公司的成熟产线产能利用率保持高位,随着公司收入规模的增长,折旧摊销占营业收入比重下降至41.13%,同比下降13.84 个百分点;三是公司积极落实供应链管控与精益生产管理等降本增效措施。展望未来,随着折旧进入下行周期、功率行业进入景气周期以及公司在AI 服务器电源、光互联等领域的成长,我们预计公司将进入利润释放加速期。
功率半导体行业景气周期开启,公司三季度已针对全品类进行调价2026 年以来,AI 数据中心算力需求爆发式增长叠加新能源汽车、储能等传统下游持续放量,全球功率半导体供需格局加速向卖方市场切换。供给端,全球8 英寸成熟制程产能持续收缩,产能利用率大幅攀升,晶圆代工、封测等上游成本全线上行。需求与成本的双重驱动下,海外龙头英飞凌等相继发出涨价函,国内厂商头部厂商等亦先后跟进,公司作为国内领先的特色工艺晶圆代工平台,已于2026 年一季度完成MOSFET 产品提价,并于三季度对MOSFET、IGBT、碳化硅、模拟芯片等全品类启动调价,目前各业务板块涨价已全面落地执行,综合实际落地幅度约15%,涨价带来的营收与毛利弹性将从三季度开始、四季度释放。
深度布局AI 基建“供电+光互连”双赛道,有望构筑中长期增长新动能公司围绕算电协同已形成深度战略布局,布局一、二、三级服务器电源全产品矩阵,目前已构建起完整的功率(Si、GaN、SiC MOSFET、SiC JFET)与电源管理(180nm/90nm BCD/55nm BCD)技术矩阵。在超高压功率器件布局上,公司已具备3300V/4500V 超高压IGBT 量产能力,并持续推进更高电压等级产品研发迭代;在A I 服务器电源领域,公司产品覆盖柔直传输、SST、绿电直连DC/DC、PSU、IBC 及POL 等各级应用,提供数字/模拟/功率器件一体化芯片方案,当前公司第二代高效率数据中心专用电源管理芯片制造平台已获得关键客户产品导入,AI 服务器电源业务正加速成为公司业绩增长的重要一极。
在AI 数据中心光互连领域,公司完整布局VCSEL、InP、硅光、TFLN、SiGe、MEMS OCS,构建了从有源芯片到硅光芯片、再到配套电芯片以及异质集成的完整光互连技术平台。12 英寸硅光工艺及90/55nm锗硅工艺平台可支撑800G、1.6T 及以上规格光模块对硅光芯片、跨阻放大器芯片的工艺需求;SOI BCD 平台凭借突出的抗干扰能力与稳定性,适配光通信领域高压、高精度、高集成度的光路控制芯片开发;BCD 高性能电阻工艺具备优秀的低噪声优势,可满足光通信运算放大芯片对精密性能的严苛要求。目前,主流数据中心硅光芯片已实现规模化稳定量产,适配AI 数据中心的交换芯片和VCSEL 芯片完成验证,迈入小批量试制阶段,凭借稀缺的光电一体化工艺技术壁垒,光互连业务正打开公司中长期成长的第二曲线。
盈利预测与估值
预计2026-2028 年营业收入分别为105.8 亿元、133.9 亿元和170.5 亿元,同比增长29.4%、26.6%和27. 3%,对应归母净利润分别为4.6 亿元、7.6 亿元和17.0 亿元,当下市值对应的PE 分别为153.9、92.1 和41.2 倍, 维持买入评级。
风险分析
1、市场需求不及预期风险:公司下游覆盖车载、风光储、消费电子及AI 服务器等领域,若下游行业景气度下行或AI 基建渗透节奏不及预期,可能影响公司成长节奏。
2、产能爬坡不及预期风险:公司正推进12 英寸数模混合产线及8 英寸碳化硅扩产,若产能建设、客户导入进度不及预期,或芯联先进项目推进缓慢,可能对公司业绩释放产生不利影响。
3、行业竞争加剧风险:碳化硅等领域国内厂商密集扩产,若未来产能集中释放引发价格竞争,公司毛利率修复进程可能受阻。
4、技术及产品迭代风险:公司正向模拟IC、MCU、光互连等新领域拓展,若新技术研发或客户验证进度不及预期,可能影响公司在AI 新兴赛道的卡位优势。