近期公告点评：①公司公告拟收购无锡尚积草案，拟通过发行股份及现金支付方式收购无锡尚积及相关持股平台，并配套募资不超过18.2 亿元，若交易完成上市公司将持有无锡尚积100%股权。②公司董事长提议以2-3 亿元回购股份，用于员工激励、员工持股计划或减少注册资本。③公司发布NF-300M 可流动碳膜沉积技术与设备，推出顶部覆盖平坦化和自下而上全填充两种工艺，已与国内3D NAND、DRAM 及逻辑芯片厂商开展合作。

    　　无锡尚积聚焦PVD 及干法刻蚀设备，特色工艺领域产品已实现批量销售。公司成立于2021 年，产品覆盖MEMS、功率器件、射频器件及先进封装等领域，6/8 英寸设备已在特色工艺领域实现批量销售，12 英寸设备已完成研发并陆续交付客户验证。实控人兼董事长王世宽曾任职无锡上华、日本SEKI等企业，拥有20 余年半导体设备研发及管理经验，2008 年创办上海松尚。

    　　PVD 设备为公司主要收入来源，干法刻蚀及CVD 设备形成补充。26H1 公司实现营收1.91 亿元，PVD、干法刻蚀及CVD 设备收入分别为1.44/0.14/0.15亿元，其中PVD 设备销量13 台，ASP 为1096.92 万元/台；干法刻蚀设备销量2 台，ASP 为344.25 万元/台；毛利率41.22%；归母净利润0.22 亿元，盈利能力相较2025 全年有所提升。

    　　无锡尚积持续拓展PVD 及刻蚀工艺应用，相关设备已在多家晶圆厂实现量产。PVD 方面，公司已掌握氧化钒、吸气剂薄膜、SiC 正背面金属化、TaN电阻薄膜及前道金属互联等工艺，具备高深宽比沉积及膜层应力控制能力。

    　　已实现深宽比15:1 以上TSV/TGV 铜种子层沉积，前道金属互联及存储先进封装金属化相关设备已发货客户端，同时持续研发先进逻辑及存储所需的Silicide、CuBS 等金属化工艺。刻蚀方面，公司已掌握ICP、CCP 及高密度ICP 刻蚀技术，覆盖TSV、GaN、化合物半导体及玻璃基片等工艺，具备高均匀性、高选择比及低损伤刻蚀能力。PVD 及干法刻蚀主要产品已通过国内多家晶圆厂验证并实现量产。

    　　募投项目围绕高端设备产能扩张及技术研发，进一步提升设备交付能力和先进工艺技术储备。公司拟使用配套募集资金5.01 亿元建设高端半导体设备生产基地，扩大PVD 及刻蚀设备量产规模，提升设备装配、调试及交付能力；6.09 亿元用于高端半导体设备前沿技术研发，重点推进先进逻辑、存储及先进封装相关薄膜沉积、刻蚀等工艺研发；另7.11 亿元用于支付交易现金对价及中介费用；募投项目预计最早于2030 年产生收入。

    　　无锡尚积在手订单较为充足，业绩承诺明确未来三年营收目标。截至26H1末，公司在手订单6.51 亿元（不含税），预计未来两年陆续实现收入。公司承诺2026—2028 年营收分别不低于3.5/4.5/6.1 亿元， 对应增速15.49%/28.57%/35.56%。

    　　投资建议。本次收购有望补齐公司PVD 及刻蚀产品线，拓展品类版图。下游扩产带动设备需求持续增长，公司现有薄膜沉积业务持续拓展，叠加无锡尚积在手订单、新增产能及客户资源协同，有望进一步提升订单承接与设备交付能力，加快新产品导入，打开中长期成长空间。我们预计26-28 年营业收入分别为88.77/127.01/176.78 亿元，归母净利润分别为20.76/29.36/38.72亿元，对应PE 分别为92.8/65.6/49.8 倍，维持“强烈推荐”投资评级。

    　　风险提示：本次交易审批及实施进度不及预期风险；收购整合及协同效应不及预期风险；无锡尚积产品研发、客户验证及设备验收不及预期风险；业绩承诺无法实现及商誉减值风险风险。