来源 :全球半导体观察2026-11-10
11月9日晚间，清溢光电发布公告，公司董事会审议通过投资议案，控股子公司佛山清溢微电子有限公司，计划在佛山高端半导体掩膜版生产基地一期、二期基础上，新建项目三期。三期项目计划总投资额不超过15亿元，规划产品为适配28nm-14nm制程的高端半导体掩膜版。
项目选址位于佛山市南海区，采用现有厂房改造、新增设备的方式建设，预计2026年12月启动开工，建设期36个月，资金来源为佛山清溢微自有及自筹资金，不使用上市公司募集资金。该项目目前仍需要完成项目备案、环评等前置审批手续，尚未取得全部审批文件。
佛山掩膜版基地整体规划最早在2023年8月对外披露，佛山生产基地整体规划投资35亿元，其中掩膜版项目原定三期合计投资15亿元，一期投资6.05亿元、二期投资2.95亿元、三期原定投资6亿元。截至本次公告披露时点，一期项目已经顺利投产，二期项目建设工作稳步推进。本次三期项目上调投资上限，单期投资上限提升至15亿元，项目定位面向国内先进制程晶圆制造的掩膜版配套需求。
掩膜版是晶圆光刻环节的核心耗材，也被称为“芯片底片”，28nm-14nm节点掩膜版属于国内国产化短板较为突出的品类。公告披露，项目建成后将补充国内先进制程掩膜版产能，完善公司掩膜版产品梯队，提升对应节点掩膜版的交付能力。清溢光电主营半导体掩膜版、平板显示掩膜版，是国内较早布局半导体掩膜版国产化的厂商，公司已经实现55nm二进制掩膜版量产，55nm相移掩膜版处于客户验证阶段。