来源 :观点地产网2026-11-09
观点网讯：11月9日，清溢光电（688138.SH）公告称，公司控股子公司佛山清溢微拟在现有高端半导体掩膜版生产基地建设项目一期、二期基础上，投资建设“高端半导体掩膜版生产基地建设项目三期”。
第三期项目计划总投资额不超过15亿元，主要产品为覆盖28nm-14nm制程的高端半导体掩膜版。
据披露，该项目建设地点为佛山市南海区丹灶镇丹凤路6号，建设期36个月，预计2026年12月开工。
项目资金来源为佛山清溢微自有或自筹资金，不涉及募集资金。
公告显示，该项目已获公司董事会审议通过，无需提交股东会审议，尚需履行项目备案、环境影响评价等行政审批手续。
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