清溢光电：控股子公司拟投资不超15亿元建设高端半导体掩膜版三期项目

清溢光电公告，公司控股子公司佛山清溢微拟在现有高端半导体掩膜版生产基地一期、二期基础上，投资建设第三期项目，计划总投资额不超过15亿元，包括设备采购费、装修费等，主要产品为覆盖28nm-14nm制程的高端半导体掩膜版，项目建设期36个月，预计2026年12月开工。该项目已获公司董事会审议通过，无需提交股东会审议，尚需履行项目备案、环境影响评价等行政审批手续。