10月14日—16日，2026湾区半导体产业生态博览会（湾芯展）于深圳会展中心（福田）举办。曼恩斯特携玻璃基板关键薄膜工艺解决方案及核心装备亮相7H08展位，重点展示磁控溅射设备（PVD）、原子层沉积设备（ALD）及精密狭缝涂布设备（Slot-die Coater）在玻璃基板先进封装领域的应用能力。
AI算力与高性能计算需求持续增长，先进封装正向更大尺寸、更高互连密度演进。玻璃基板凭借优异的尺寸稳定性、电绝缘性与可调介电常数，受到广泛关注。TGV（玻璃通孔）是实现玻璃基板上下表面电气互连、支撑高密度垂直互连的关键结构。
但玻璃基板先进封装的产业化仍面临高深宽比TGV通孔金属化、膜层沉积均匀性与连续性控制，以及大面积RDL介电层的制备等核心工艺挑战。曼恩斯特以PVD、ALD、狭缝涂布三大技术平台，覆盖通孔金属化均匀沉积与RDL介电层制备等关键工艺，为玻璃基板先进封装提供核心装备支持。
01
TGV核心技术
金属化与互连可靠性
玻璃基板经激光改质、湿法刻蚀形成通孔后，通常需先沉积金属附着层与铜种子层，再通过铜电镀填充形成垂直导电通路。种子层连续性与界面附着性能，是影响电镀质量及长期互连可靠性的关键。
随着通孔孔径缩小、深宽比提升，PVD方向性沉积受遮蔽效应制约，孔内侧壁覆盖不足、局部种子层不连续，易引发电镀空洞与填充不均。同时，玻璃与金属热膨胀系数失配及薄膜残余应力，进一步影响界面稳定性。
展会现场，曼恩斯特自主研发的连续磁控溅射（PVD）设备与原子层沉积（ALD）设备吸引了众多技术人员与企业代表关注。围绕不同孔径与深宽比TGV通孔的薄膜沉积需求，两类设备形成工艺互补：PVD侧重高效金属沉积，ALD侧重高深宽比结构的保形覆盖。
连续磁控溅射（PVD）
高效沉积金属附着层与种子层
设备采用全自动进出片设计，减少间歇式设备的批次等待时间，有效提升设备产出效率。并支持生产节拍按需定制，提供覆盖实验、中试及规模化量产不同阶段的设备配置。
设备搭载HiPIMS高功率脉冲磁控溅射技术，通过优化等离子体特性，提升金属薄膜致密度与界面附着力。针对玻璃基板的热负荷敏感特性，采用低温沉积与低损伤工艺设计，有效抑制超薄玻璃基板翘曲，确保镀层均匀致密。设备面向深宽比≤ 12:1 的通孔金属化需求，适配玻璃、陶瓷及硅基等多种基板。
通过模块化腔体设计，支持单面或双面镀膜靶位定制，兼顾工艺配置灵活性与维护便利性。结合连续化生产模式减少批次切换损耗，帮助客户优化单位产出成本。
ALD原子层沉积
高深宽比结构的薄膜沉积
ALD设备基于自限制性表面反应，实现原子级膜厚控制，兼具优异的薄膜均匀性与工艺重复性，彻底消除结构遮蔽效应。适用高深宽比通孔内阻挡层、界面层及导电成核层等功能薄膜的精细制备。
设备支持深宽比15:1~150:1、孔径20μm以下的高深宽比通孔应用，在适宜工艺条件下台阶覆盖率近100%，为复杂三维结构的功能薄膜制备提供技术支撑。
同时温和的制程温度适配多种热敏性基材，在保证成膜质量的同时降低热负荷，避免玻璃基板热变形与性能退化风险。
从常规深宽比的高效金属化到超高深宽比的保形沉积，PVD与ALD形成梯度覆盖，为不同TGV结构提供差异化技术选择。
02
RDL介电层
狭缝涂布提升大面积成膜均匀性
随着玻璃基板先进封装向大尺寸、面板级制造发展，传统旋涂工艺在材料利用率与膜厚均匀性上面临挑战。曼恩斯特平板狭缝涂布设备，采用线性涂布方式，无旋转机械应力，支持单面、双面工艺切换，为大面积光敏PI/PBO介电材料及光刻胶涂布提供高均匀、低损耗的涂布技术支撑。
高精度成膜，保障介电层均匀性
设备搭载自研高精度涂布模头与闭环供液系统，实现有效涂布区域膜厚均匀性≤3%，材料利用率＞95%，为精细线路所需的介电层均匀制备提供关键工艺基础。
稳定供液与洁净控制，降低涂层缺陷风险
高精度注液泵流量分辨率达0.01μL/s，配合模头预挤出、自动清洗及整机FFU洁净系统，有效提升涂布过程的供液稳定性与洁净控制水平，降低残液及颗粒污染造成的涂层缺陷风险。
多材料适配，支撑规模化制造
设备兼容多种规格硼硅玻璃基板与半导体介电材料，支持小批量研发至面板级量产机型选型，为L/S 2～5μm级RDL精细布线提供介电层制备工艺支持。
本届湾芯展期间，围绕相关工艺难点、技术进展及产业化挑战等话题，曼恩斯特与到场行业同仁展开深入意见交流。
面向未来，针对AI算力、CPO光互联及2.5D/3D先进封装等领域蓬勃发展的技术需求，曼恩斯特将持续推进核心工艺与装备创新，深化应用探索，为玻璃基板先进封装技术发展及应用拓展提供解决方案支持。
展会预告
2026印度国际电池储能博览会
Booth：7.185
Time：10月22日-24日